雪崩型光电二极管是一种具有内增益的半导体光敏器件。处于反向偏置的P-N结，AD7150BRMZ其势垒区内有很强的电场，当光照射到P-N结上时，便产生了光生载流子，光生载流子在这个强电场作用下，将加速运动。光生载流子在运动过程中，可能碰撞其他原子而产生大量新的二次电子一空穴对。它们在运动过程中也获得足够大的动能，又碰撞出大量新的二次电子一空穴对。这样下去像雪崩一样迅速地碰撞出大量电子和空穴，形成强大的电流，便形成倍增效果。

   由于雪崩光电二极管需外加近百伏的反向偏压，这就要求材料掺杂均匀，并在N+与P（或P+与N）区间扩散，轻掺杂N（对P+与N之间扩散P层）层作为保护环，使N+P结区变宽，呈现高阻区，可以减少表面漏电流，防止N+P结的边缘局部过早击穿，如图4- 27(a)、(b)所示，或在P型衬底和重掺杂N+之间生成厚几百微米的奉征层I，可使雪崩管耐高的反向偏压，如图4 -27(c)所示。

   图4 -28是雪崩光电二极管的倍增电流、噪声与外加偏压的关系曲线。从图上可以看出：在偏置电压较低时的A点以左不发生雪崩过程；随着偏压的逐渐升高，倍增电流也逐渐增加，从曰点到c点增加很快，属于雪崩倍增区；偏压再继续增大，将发生雪崩击穿，同时噪声也显著增加，如图中c点以右的区域。因此，最佳的偏压工作区是G点以左，否则进入雪崩击穿而烧毁管子。