K4AAG165WA-BCWE K4AAG165WA-BIWE
16Gb DDR4 SDRAM
K4AAG165WA-BCWE K4AAG165WA-BIWE16Gb DDR4 SDRAM a -die被组织为128Mbit x 16 I/ o x
8银行设备。该同步器件实现高速双数据速率传输速率高达3200Mb/秒/引脚(DDR4-3200)的一般应用。
该芯片设计符合以下关键DDR4 SDRAM功能，如贴附CAS，可编程CWL，内部(自)校准，
使用ODT引脚和异步复位的芯片终止。
所有的控制和地址输入与一对外部最终提供的差分时钟同步。输入锁存于不同时钟的交叉点(CK上升和CK下降)。所有的I/ o都同步到a
一对双向频闪灯(DQS和DQS)在一个源同步闪光灯离子。地址总线用于传递行、列和银行地址
RAS/CAS多路复用方式的信息。DDR4设备工作
具有单路1.2V (1.14V~1.26V)电源和1.2V (1.14V~1.26V)电源。
16Gb DDR4 A-die器件提供96ball FBGAs(x16)。
JEDEC标准1.2V (1.14V~1.26V)
•VDDQ = 1.2v (1.14v ~ 1.26v)
•800 MHz fCK为1600Mb/秒/引脚，933 MHz fCK为1866Mb/秒/引脚，
1067MHz fCK为2133Mb/sec/pin, 1200MHz fCK为2400Mb/sec/pin，
1333MHz fCK为2666Mb/sec/pin, 1467MHz fCK为2933Mb/sec/pin，
1600MHz fCK为3200Mb/秒/引脚
•可编程CAS延迟(张贴CAS):
10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、24
•可编程添加延迟:0,CL-2或CL-1时钟
•可编程CAS写时延(CWL) = 9,11 (DDR4-1600)， 10,12
(ddr4 -1866)，11,14 (ddr4 -2133)，12,16 (ddr4 -2400)， 14,18 (ddr4 -2133)
2666)和16,20 (ddr4 -2933,3200)
•8位预取
•突发长度:8,4与tCCD = 4，不允许无缝读取
或写[在飞行中使用A12或MRS]
•双向差分数据频闪
•内部(自)校准:内部自校准通过ZQ引脚
•使用ODT引脚在模具端接
•平均刷新周期7.8us在低于TCASE 85的频率，3.9us在
85: cm < cm < cm
•支持连通性测试模式(TEN)
•异步复位
•包装:96个球FBGA - x16
•所有无铅产品均符合RoHS标准
•所有产品均不含卤素
•CRC(循环冗余校验)读/写数据的安全性
•命令地址奇偶校验
•DBI(数据总线反转)
•降档模式
•POD (Pseudo Open Drain)接口用于数据输入/输出
•内部VREF数据输入
•用于DRAM激活电源的外部VPP
•支持PPR和sPPR
