K4ABG165WA-MCTD四代32GB双倍数据率同步动态随机存储器
密度
32 Gb
Org。
2G × 16
速度
2666 Mbps
电压
1.2 V
Temp。
0 ~ 85℃
包
96年fbga
产品状态
大规模生产
JEDEC标准1.2V (1.14V-1.26V)
VDDo = 1.2V (1.14V-1.26V) 800mhz fk为1600Mb/sec/pin, 933mhz fk为1866Mb/sec/pin, 1067mhz fck为2133Mb/sec/pin, 1200MHz fck为2400Mb/sec/pin, 1333mhz fck为2666Mb/sec/pin, 1467MHz fck为2933Mb/sec/pin。1600MHz频率为3200Mb/秒/引脚
16家银行(4家银行集团)
可编程CAS延迟(张贴CAS)
10.11.12.13.14.15.16, 17.18, 19.20, 22.24 21日
延迟:0,CL-2或CL-1时钟
可编程CAS写时延(CWL)= 9,11 (DDR4-1600)10.12(DDR4-1866)，11,14(DDR4-2133)，12,16(DDR4-2400)，14,18(DDR42666)和16,20(ddr4 -2933,3200)
8位预取
突发长度:8,4,tCCD = 4，不允许无缝读写[使用A12或MRS]
双向差分数据频闪
16Gb DDR4 SDRAM a -die被组织为256Mbit × 4 I/ o 16banks或128Mbit × 8 I/ o × 16banks设备。该同步设备实现高速双数据速率传输速率高达3200Mb/secpin (DDR4-3200)，适用于一般应用。
该芯片设计符合以下关键DDR4 SDRAM功能，如贴出CAS，可编程CWL，内部(自)校准。使用ODT引脚和异步复位的芯片终止。
所有的控制和地址输入与一对外部供应的差分时钟同步。输入锁存于差分时钟的交叉点(CK上升和CK下降)。所有I/ o都以源同步方式与一对双向频闪(DOS和DOS)同步。地址总线用于以RAS/CAS多路复用方式传递行、列和银行地址信息。DDR4器件采用单路1.2V (1.14V~1.26V)电源和1.2V (1.14V~1.26V)电源工作。16Gb DDR4 A-die器件提供78ball FBGAs(x4/x8)。
内部(自)校准:通过ZQ引脚进行内部自校准
(RZQ: 240欧姆:1%)
使用ODT引脚的模具端接
平均刷新周期7.8us低于TcAsE 85°C, 3.9us
85°c < tcase < 95c
支持连接测试模式(TEN)
异步复位
包装:78个球FBGA - X4/x8
所有无铅产品均符合RoHS标准
所有产品均不含卤素
CRC(循环冗余校验)用于读写数据的安全性
命令地址奇偶校验
数据总线反转
减速模式
POD (Pseudo Open Drain)数据输入/输出接口
数据输入的内部VREF
DRAM激活电源外部VPP
支持PPR和sPPR
