K4A8G165WC-BCTD特性
•性能的进化
•更少的能源，更高的效率
•提高可靠性
8Gb DDR4 SDRAM C-die被组织为64Mbit x 16 I/ o x 8bank
设备。该同步装置实现了高速双数据速率
传输速率高达2666Mb/sec/pin (DDR4-2666)，适用于一般应用。
该芯片设计符合以下关键DDR4 SDRAM功能，如贴附CAS，可编程CWL，内部(自)校准，
使用ODT引脚和异步复位的芯片终止。
所有的控制和地址输入与一对外部最终提供的差分时钟同步。输入锁存于不同时钟的交叉点(CK上升和CK下降)。所有的I/ o都同步到a
一对双向频闪灯(DQS和DQS)在一个源同步闪光灯离子。地址总线用于传递行、列和银行地址
RAS/CAS多路复用方式的信息。DDR4设备工作
采用单路1.2V(1.14V~1.26V)电源，1.2V(1.14V~1.26V) VDDQ
2.5V (2.375V~2.75V) VPP。
8Gb DDR4 C-die器件提供96ball FBGAs(x16)。
K4A8G165WC-BCTD四代双倍数据率同步动态随机存储器
密度
8 gb
Org。
512M × 16
速度
2666 Mbps
电压
1.2 V
Temp。
0 ~ 85℃
包
96年fbga
产品状态
大规模生产
