4Gigx4
2 Gigx8
- 1gigx 16
78球FBGA封装(无铅)- x4, x8- 10mm × llmm - Rev. B
-9mm x 1lmm - Rev. E
- 7.5mm × 1lmm - Rev. F96-ball FBGA封装(无铅)- x16- 10mm × 13mm - Rev. B-9mm × 13mm - Rev. E
- 7.5mm x 13mm - Rev. F
定时-周期时间
- 0.625ns @ CL= 22(DDR4-3200)- 0.682ns @ CL= 21(DDR4-2933)
工作温度
-商业(0°s Tc < 95°C)-工业(-40°C < Tc s 95°C)
MT40A1G16KD-062E:EDDR4 SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，在x16配置时内部配置为8行DRAM，在x4和x8配置时内部配置为16行DRAM。DDR4 SDRAM采用8n预取架构，实现高速运行。8n预取结构与一个接口相结合，该接口设计为在i /O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。
DDR4 SDRAM的单个READ或WRITE操作由内部DRAM核心的单个8n-bit宽的4时钟数据传输和I/O引脚的两个相应的n-bit宽的一个半时钟周期数据传输组成。
工业温度
工业温度(IT)设备选项要求机箱温度不低于40°C或高于95°C。JEDEC规范要求当温度超过85°C时，刷新率要翻倍。这也需要使用高温自新鲜选项。此外，当T介于-40°C和oC之间时，在商业温度范围之外工作时，ODT电阻和输入/输出阻抗必须降额
汽车温度
汽车温度(AT)装置选项要求外壳温度不低于40°C或高于105°C。规格要求Tr超过85℃时，刷新率为2X;当ic超过95°C时为4X。此外，当工作温度Tc <0°C时，ODT电阻和输入/输出阻抗必须降额
