商品目录 功率MOSFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc)
FET类型 P 通道
Vgs(最大值) ±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7 毫欧 @ 50A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6880pF @ 25V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 126nC @ 10V
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
封装/外壳 TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
SPD50P03LGBTMA1
发布时间:2022/9/22 12:27:00 访问次数:94
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