商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4000pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 4000pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@59A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 55V
连续漏极电流Id 110A
封装/外壳 TO-247AC
IRFP064NPBF
发布时间:2022/9/24 11:18:00 访问次数:80
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