商品目录 门驱动器
驱动配置 半桥
FET类型 同步
驱动器数 2
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
电压-电源 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH 0.8V,3V
电流-峰值输出（灌入，拉出） 210mA,360mA
输入类型 非反相
高压侧电压-最大值（自举） 600V
上升/下降时间（典型值） 100ns,50ns
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳 SOIC 8N
IR2104STRPBF
发布时间:2022/9/24 11:22:00 访问次数:179
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