IRLML6246TRPBF

IRLML6246TRPBF

商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 5μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3.5nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 16V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 5μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 16V
Rds On(Max)@Id,Vgs 46mΩ@4.1A,4.5V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 4.1A
封装/外壳 Micro3™/SOT-23
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs 4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds 16V