IRF9540NPBF

参数名称 参数值
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1999131294
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 LEAD FREE PACKAGE-3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 3.73
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas） 430 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 19 A
最大漏极电流 (ID) 23 A
最大漏源导通电阻 0.117 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） 250
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 76 A
认证状态 Not Qualified
子类别 Other Transistors
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON