IRFB3306PBF

IRFB3306PBF

参数名称 参数值
Source Content uid IRFB3306PBF
是否Rohs认证 符合
生命周期 Active
Objectid 8006009544
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 53 weeks 1 day
风险等级 1.21
Samacsys Description MOSFET N-Channel 60V 160A HEXFET TO220AB Infineon IRFB3306PBF N-channel MOSFET Transistor, 160 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB
Samacsys Manufacturer Infineon
雪崩能效等级（Eas） 184 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 160 A
最大漏极电流 (ID) 160 A
最大漏源导通电阻 0.0042 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 620 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON