IRF7832TRPBF

参数名称 参数值
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2049524670
零件包装代码 SOIC
包装说明 SOP-8
针数 8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.29
雪崩能效等级（Eas） 260 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 20 A
最大漏极电流 (ID) 20 A
最大漏源导通电阻 0.004 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MS-012AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 155 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 160 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON