参数名称 参数值
Source Content uid IRFP4310ZPBF
是否Rohs认证
符合
生命周期 Active
Objectid 8006011950
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
风险等级 1.2
Samacsys Description Infineon IRFP4310ZPBF N-channel MOSFET, 134 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-247AC
Samacsys Manufacturer Infineon
雪崩能效等级（Eas） 130 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 134 A
最大漏极电流 (ID) 120 A
最大漏源导通电阻 0.006 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 560 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
