描述：STD5N20LT4
STD5N20L采用了ST专有STripFET™技术的最新高级设计规则。 适用于要求最苛刻的DC电机控制和照明应用。
应用领域：STD5N20LT4
■UPS和电动机控制
■照明
特性：STD5N20LT4
典型RDS（on）= 0.65 0.6 @ 5V
■减少了传导损失
■低输入电容
■低阈值设备
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:45 A
Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V
Qg-栅极电荷:25 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:60 W
配置:Single
商标名:STripFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:STD45N10F7
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:17 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:24 ns
典型接通延迟时间:15 ns
单位重量:4 g
