描述：STD4NK80ZT4
SuperMESH™系列可通过以下方式获得：对ST的完善进行了彻底的优化基于条带的PowerMESH™布局。 此外大大降低导通电阻，特别注意确保良好的dv / dt最苛刻的应用程序的能力。这样的系列补充了ST全系列的高包括革命性的高压MOSFETMDmesh™产品。
特性：STD4NK80ZT4
■极高的dv / dt功能
■经过100％雪崩测试
■栅极电荷最小化
■极低的固有电容
■极好的制造重复性
应用领域：STD4NK80ZT4
■切换应用
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:800 V
Id-连续漏极电流:3 A
Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:22.5 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:80 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:2.4 mm
长度:6.6 mm
系列:STD4NK80Z
晶体管类型:1 N-Channel MOSFET
类型:MOSFET
宽度:6.2 mm
商标:STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:2.9 S
下降时间:32 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:12 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:35 ns
典型接通延迟时间:13 ns
单位重量:4 g
