描述：STD4NK60Z-1
这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET由意法半导体（STMicroelectronics）使用SuperMESH™技术开发，优化完善的PowerMESH™。 除了重大这些器件旨在降低导通电阻，以确保高水平的dv / dt最苛刻的应用程序的能力。
特性：STD4NK60Z-1
•极高的dv / dt功能
•经过100％雪崩测试
•栅极电荷最小化
•齐纳保护
应用领域:STD4NK60Z-1
•切换应用
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-251-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:4 A
Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:70 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:SuperMESH
封装:Tube
高度:6.2 mm
长度:6.6 mm
系列:STD4NK60Z-1
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:2.4 mm
商标:STMicroelectronics
下降时间:16.5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9.5 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:29 ns
典型接通延迟时间:12 ns
单位重量:400 mg
