描述：STD10NF10T4
该功率MOSFET系列实现了意法半导体独特的STripFET™工艺专为减少输入而设计电容和栅极电荷。 因此非常理想作为高级高效的主要开关用于电信和电信的隔离式DC-DC转换器计算机应用程序。 也适用于任何低栅极电荷驱动要求的应用
特性：STD10NF10T4
出色的dv / dt功能
面向应用程序的表征
应用领域：STD10NF10T4
切换应用
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:13 A
Rds On-漏源导通电阻:115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:50 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:STripFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:2.4 mm
长度:6.6 mm
系列:STD10NF10T4
晶体管类型:1 N-Channel
类型:MOSFET
宽度:6.2 mm
商标:STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:20 S
下降时间:8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:25 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:32 ns
典型接通延迟时间:16 ns
单位重量:4 g
