标准包装
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800
包装
标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
规格 FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 37nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 920pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），70W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
文档 仿真模型 IRF530NS Saber Model
IRF530NS Spice Model
IRF530NS Spice Model
IRF530NSPBF Saber Model
其它有关文件 IR Part Numbering System
PCN 封装 Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
PCN 组件/产地 Alternate Assembly Site 11/Nov/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 设计/规格 Copper Plating Update 31/Aug/2015
Material Chg 24/Nov/2015
Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
图像和媒体 产品相片 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
特色产品 Data Processing Systems
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