标准包装
IRF520NPBF-ND;part_id=811741;ref_supplier_id=448;ref_page_event=Standard Packaging" />
1,000
包装
管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
规格 FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 200 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 25nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 330pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 48W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
文档 仿真模型 IRF520N Saber Model
IRF520N Spice Model
IRF520N Spice Model
IRF520NPBF Saber Model
其它有关文件 IR Part Numbering System
PCN 封装 Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
PCN 组件/产地 Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 设计/规格 Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
图像和媒体 产品相片 TO-220AB PKG
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
特色产品 Data Processing Systems
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