标准包装
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2,500
包装
管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
规格 FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 700mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 420mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 8.7nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）
文档
图像和媒体 产品相片 4-DIP
产品目录绘图 IR(F,L)D Series Side 1
IR(F,L)D Series Side 2
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
现有数量 库存现货:1,295
可立即发货
制造商 Vishay Siliconix
制造商零件编号 IRFD9110PBF
描述 MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 7 周
详细描述 通孔-P-通道-100V-700mA（Ta）-1.3W（Ta）-4-DIP-Hexdip-HVMDIP
