IRFD020PBF 假一罚十,原装正品现货,长期供货,价格优惠欢迎采购。IRFD020PBF Vishay Siliconix | IRFD020PBF-ND | Digi-Key Electronics" src="https://media.digikey.com/Photos/TDK%20Photos/ZJY51R5-2PB-01.jpg" />
零件编号
IRFD020PBF-ND
现有数量
得捷电子库存现货:1,153
可立即发货
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
IRFD020PBF
描述
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
原厂标准交货期
7 周
详细描述
通孔-N-通道-50V-2.4A(Tc)-1W(Tc)-4-DIP-Hexdip-HVMDIP
一般信息
数据列表
IRFD020, IRFD022;
标准包装IRFD020PBF-ND;part_id=812897;ref_supplier_id=742;ref_page_event=Standard Packaging" />
2,500
包装
管件
零件状态
有源
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
-
规格
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 1.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
24nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
400pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
4-DIP,Hexdip,HVMDIP
封装/外壳
4-DIP(0.300",7.62mm)
图像和媒体
产品相片
4-DIP
产品目录绘图
IR(F,L)D Series Side 1
IR(F,L)D Series Side 2
视频文件
MOSFET Technologies for Power Conversion
假一罚十,原装进口现货供应:TI/德州 TLC59461PWPR
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TI/德州 TPS2511DGNR
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