标准包装
IRF820STRLPBFTR-ND;part_id=856675;ref_supplier_id=742;ref_page_event=Standard Packaging" />
800
包装
标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
规格 FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 24nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），50W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
文档 PCN 组件/产地 Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Mult Devices 25/May/2018
图像和媒体 产品相片 TO-263AB
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
TI/德州 TLC59461PWPR
TI/德州 TLV1117-33IDCYR
TI/德州 TLV1117LV33DCYR
TI/德州 TLV1117-33IDCYR
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TI/德州 TPS2513DBVR
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TI/德州 TPS77533DR
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TI/德州 TLC082CDR
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TI/德州 TLV803SDBZR
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ON/安森美 NTR4503NT1G
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TI/德州 TPS2068CDGNR
TI/德州 TPS2060CDGNR
