锗三极管和硅三极管介绍
发布时间:2022/5/5 10:33:00 访问次数:1948
锗三极管和硅三极管
三极管是由两个pn结构成的，根据pn结材料的不同可分为}胰芎凸枞�,
如图所示。从外形上看，这两种三极管并没有明显的区别。
不论是错三极管还是硅三极管,工作原理完全相同，都有pnp和npn两种结构类型, 都有高频管和低频管、大功率管和小功率管，但由于制造材料的不同，因此电气性能有 一定的差异。
1）；错材料制作的pn结正向导通电压为0.2 ~ 0.3v,硅材料制作的pn结正向导通 电压为0.6 - 0.7v,错三极管发射极与基极之间的起始工作电压低于硅三极管。
2）；错三极管比硅三极管具有较低的饱和压降。
- 51电子网公益库存:
- AT45DB021E-SSHN-T
- CY8C4124PVI-442T
- EN25F80-100HCP
- EN25QH128A-104HIP
- EN25T80-75HCP
- GD25Q127CSIG
- M12L128168A-6TG2N
- MX30LF2G18AC-TI
- PM25LQ020B-SCE
- RT8010GQW
- RT9013-33GB
- RTL8201F-VB-CG
- W25Q128JVFIQ
- W9425G6KH-5
- W9812G6KH-6
- 1410975-3
- 5CEFA7F23I7N
锗三极管和硅三极管
三极管是由两个pn结构成的，根据pn结材料的不同可分为}胰芎凸枞�,
如图所示。从外形上看，这两种三极管并没有明显的区别。
不论是错三极管还是硅三极管,工作原理完全相同，都有pnp和npn两种结构类型, 都有高频管和低频管、大功率管和小功率管，但由于制造材料的不同，因此电气性能有 一定的差异。
1）；错材料制作的pn结正向导通电压为0.2 ~ 0.3v,硅材料制作的pn结正向导通 电压为0.6 - 0.7v,错三极管发射极与基极之间的起始工作电压低于硅三极管。
2）；错三极管比硅三极管具有较低的饱和压降。
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