innolink-a：

满足 b2b/c2c 互连的性能、效率和可靠性要求

提供 56gbps/对，插入损耗为 30db

利用高速长距离 serdes

差分信号

基于 cdr 的 rx

优化延迟

可扩展至 4/8/16/32/64/128 通道

独立于 phy 的培训

低功耗模式

电源效率为 1.8pj/bit

面积效率 0.2tbps/mm2

innolink-b：

满足 c2c/p2p 互连的性能、

效率和可靠性要求

提供高达 16gbps/pin

单端 ddr

突发数据

正向时钟

低延迟、低功耗模式

支持倒装芯片和硅中介层

软件定义的 io 方向和信号交换

支持60um~150um的c4 bump pitch

支持55um~100um的micro bump pitch

电源效率0.3~0.5pj/bit

面积效率0.4~1.0tbps/mm2

产品描述：

innosilicon innolink™ ip

 提供了领先的小芯片解决方案，

允许大量低延迟数据在更小的芯片之间无缝传递，

就好像它们都在同一条总线上一样。

小芯片被定义为组成大型芯片的独立功能块，

在这个异构集成的新时代，

实现性能和效率提升至关重要。

innosilicon 推出了 innolink™ 小芯片解决方案，

作为具有功耗和成本效益的芯片对芯片 (d2d)、

芯片对芯片 (c2c)、板对板 (b2b) 和数据中心、

网络、5g、hpc 和 ai 应用程序的包到包 (p2p) 连接。

主要特征：

innolink-c

满足 d2d 互连的性能、效率和可靠性要求

提供 20gbps/pin，每比特训练

单端 ddr

突发数据，低延迟

应用程序 d2d、2.5d/3d 小芯片

针对硅中介层进行了优化

超低功耗、无cdr、无数据包头

0.4v io电压

软件定义的 io 方向和信号交换

支持位冗余和通道修复

10um~55um的micro bump间距

电源效率为 0.2pj/bit

面积效率高达 1.2tbps/mm2

innosilicon 的优势：

适用于任何 40nm 或以下技术节点

与单片硅集成相比，成本显着降低、

上市时间更短、oem 供应风险更低、架构划分更简单

提供领先的性能、功率和每太比特面积

支持硅中介层、封装基板和 pcb 选项的灵活配置

适用于任何 fpga 和 asic 的可定制综合

从 ip 交付到生产的全面支持

示例应用：

高性能计算 (hpc) 应用程序

下一代数据中心

联网

5g通讯

人工智能/机器学习 (ai/ml) 应用。

来源：innosilicon。