为了充分利用gan晶体管，要求隔离栅极驱动器最好具有以下特性：

最大允许栅电压<7 v

开关节点下dv/dt>100 kv/ms ，cmti为100 kv/μs至200 kv/μs

对于650 v应用，高低开关延迟匹配≤50 ns

用于关断的负电压箝位( 3 v)

有几种解决方案可同时驱动半桥晶体管的高端和低端。关于传统的电平转换高压驱动器有一个传说，就是最简单的单芯片方案仅广泛用于硅基mosfet。在一些高端产品（例如，服务器电源）中，使用adum4223双通道隔离驱动器来驱动mos，以实现紧凑型设计。

采用gan时，电平转换解决方案存在一些缺点，如传输延迟很大，共模瞬变抗扰度(cmti)有限，用于高开关频率的效果也不是很理想。与单通道驱动器相比，双通道隔离驱动器缺少布局灵活性。同时，也很难配置负偏压。表1对这些方法做了比较。

对于gan晶体管，可使用单通道驱动器。adum3123是典型的单通道驱动器，可使用齐纳二极管和分立电路提供外部电源来提供负偏压（可选）.

新趋势：定制的隔离式gan模块

gan器件通常与驱动器分开封装。这是因为gan开关和隔离驱动器的制造工艺不同。未来，将gan晶体管和隔离

栅驱动器集成到同一封装中将会减少寄生电感，从而进一步增强开关性能。一些主要的电信供应商计划自行封装gan系统，构建单独的定制模块。从长远来看，用于gan系统的驱动器也许能够集成到更小的隔离器模块中。

adum110n等微型单通道驱动器（低传输延迟、高频率）和isopower adum5020设计简单，可支持这一应用趋势。

用于gan晶体管的单通道、隔离式isocoupler驱动器

icoupler adum110n和isopower adum5020非常适合navitas gan模块应用

与传统硅基mosfet相比，gan晶体管具有更小的器件尺寸、更低的导通电阻和更高的工作频率等诸多优点。采用gan技术可缩小解决方案的总体尺寸，且不影响效率。gan器件具有广阔的应用前景，特别是在中高电压电源应用中。采用adi公司的icoupler®技术驱动新兴gan开关和晶体管能够带来出色的效益。

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