内环与外环之间的电容谐振频率
发布时间:2020/10/5 22:53:46 访问次数:10923
chen houtong教授课题组[18]利用金属亚波长线栅设计了一种基于超薄平面超材料的高效宽带太赫兹线性振转换器并得到近乎完美的反常折射；
二氧化钒的晶格结构在低温时表现为单斜金红石结构，当温度升高超过其相变温度(68 ℃)时变化为四方金红石结构[30]，即在低于68 ℃时为绝缘相，表现为绝缘体；高于68 ℃时为金属相，表现为导体，vo2独特的性质可为太赫兹波的动态调控提供一份思路[31-32]。
双开口谐振环(double split ring resonator，dsrr)最早由pendry j b等人[14]提出，是构造超材料的典型结构，内环与外环之间的电容以及电感的影响能增加谐振频率。一款周期性双开口谐振环并在两个开口处放置vo2材料的阵列模型，利用fdtd solution软件研究了其温度调控特性。
二氧化钒(vo2)的温致金属-绝缘体相变特性，利用双开口谐振环，设计了透射频率可调的太赫兹器件。利用时域有限差分法(fdtd)理论研究了该结构的透射特性。结果表明，当外界温度从25 ℃升高至85 ℃，超过二氧化钒的相变温度(68 ℃)时，在0.63 thz和1.91 thz处的透射率由6.3%和0.5%增加至66.6%和45.2%，调制深度分别达到82.7%和97.8%，表现出良好的可调特性。具体分析了谐振吸收的机理以及温度调控的过程。
gan晶体管的开关速度比硅mosfet要快得多，并可降低开关损耗，原因在于：
栅极电容和输出电容更低。
较低的漏源极导通电阻(rds(on))可实现更高的电流操作，从而降低了传导损耗。
无需体二极管，因此反向恢复电荷(qrr)低或为零。
gan晶体管支持大多数包含单独功率因数校正(pfc)和dc-dc部分的ac/dc电源：前端、无电桥pfc以及其后的llc谐振转换器（两个电感和一个电容）。此拓扑完全依赖于图1所示的半桥和全桥电路。
如果将数字信号处理器(dsp)作为主控制器，并用gan晶体管替换硅mosfet，就需要一种新的隔离技术来处理更高的开关频率。这主要包括隔离式gan驱动器。
(素材来源：chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
chen houtong教授课题组[18]利用金属亚波长线栅设计了一种基于超薄平面超材料的高效宽带太赫兹线性振转换器并得到近乎完美的反常折射；
二氧化钒的晶格结构在低温时表现为单斜金红石结构，当温度升高超过其相变温度(68 ℃)时变化为四方金红石结构[30]，即在低于68 ℃时为绝缘相，表现为绝缘体；高于68 ℃时为金属相，表现为导体，vo2独特的性质可为太赫兹波的动态调控提供一份思路[31-32]。
双开口谐振环(double split ring resonator，dsrr)最早由pendry j b等人[14]提出，是构造超材料的典型结构，内环与外环之间的电容以及电感的影响能增加谐振频率。一款周期性双开口谐振环并在两个开口处放置vo2材料的阵列模型，利用fdtd solution软件研究了其温度调控特性。
二氧化钒(vo2)的温致金属-绝缘体相变特性，利用双开口谐振环，设计了透射频率可调的太赫兹器件。利用时域有限差分法(fdtd)理论研究了该结构的透射特性。结果表明，当外界温度从25 ℃升高至85 ℃，超过二氧化钒的相变温度(68 ℃)时，在0.63 thz和1.91 thz处的透射率由6.3%和0.5%增加至66.6%和45.2%，调制深度分别达到82.7%和97.8%，表现出良好的可调特性。具体分析了谐振吸收的机理以及温度调控的过程。
gan晶体管的开关速度比硅mosfet要快得多，并可降低开关损耗，原因在于：
栅极电容和输出电容更低。
较低的漏源极导通电阻(rds(on))可实现更高的电流操作，从而降低了传导损耗。
无需体二极管，因此反向恢复电荷(qrr)低或为零。
gan晶体管支持大多数包含单独功率因数校正(pfc)和dc-dc部分的ac/dc电源：前端、无电桥pfc以及其后的llc谐振转换器（两个电感和一个电容）。此拓扑完全依赖于图1所示的半桥和全桥电路。
如果将数字信号处理器(dsp)作为主控制器，并用gan晶体管替换硅mosfet，就需要一种新的隔离技术来处理更高的开关频率。这主要包括隔离式gan驱动器。
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