FCP190N65F

FCP190N65F属性

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FCP190N65F描述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 20.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 60 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 208 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: SuperFET II FRFET
封装: Tube
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
系列: FCP190N65F
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.7 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 18 S
下降时间: 4.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 1.800 g

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