FDP12N50NZ
FDP12N50NZ属性
- 面议
- TO-220
- ON
FDP12N50NZ描述
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 11.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 460 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 23 nC
Pd-功率耗散: 170 W
配置: Single
商标名: UniFET
封装: Tube
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
系列: FDP12N50NZ
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.7 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 12 S
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
单位重量: 1.800 g