FDP075N15A-F102

FDP075N15A-F102属性

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FDP075N15A-F102描述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 130 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 77 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
系列: FDP075N15A
宽度: 4.7 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 21 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 37 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
零件号别名: FDP075N15A_F102
单位重量: 1.800 g

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