FCPF190N60

FCPF190N60属性

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FCPF190N60描述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 20.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 199 mOhms
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 39 W
配置: Single
商标名: SuperFET II
封装: Tube
高度: 16.07 mm
长度: 10.36 mm
系列: FCPF190N60
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.9 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
单位重量: 2.270 g

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