晶体管 MGSF1N03LT1G FET-MOSFET

晶体管 MGSF1N03LT1G FET-MOSFET属性

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晶体管 MGSF1N03LT1G FET-MOSFET描述

MGSF1N03LT1G介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23

制造商标准提前期 35 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 1.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 140pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 420mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“BG”等）表示。晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一。



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