晶体管 MMBT2907ALT1G 双极 (BJT) - 单

晶体管 MMBT2907ALT1G 双极 (BJT) - 单属性

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晶体管 MMBT2907ALT1G 双极 (BJT) - 单描述

MMBT2907ALT1G介绍：

描述 TRANS PNP 60V 0.6A SOT23

制造商标准提前期 36 周

详细描述 Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

晶体管类型 PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 60V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V

功率 - 最大值 300mW

频率 - 跃迁 200MHz

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

基本零件编号 MMBT2907A

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