晶体管 ULN2066B 双极 (BJT) - 阵列

晶体管 ULN2066B 双极 (BJT) - 阵列属性

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晶体管 ULN2066B 双极 (BJT) - 阵列描述

ULN2066B介绍：

描述 TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

制造商标准提前期 38 周

详细描述 Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

制造商 STMicroelectronics

系列 -

包装 管件

零件状态 在售

晶体管类型 4 NPN 达林顿（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1.75A

电压 - 集射极击穿（最大值） 50V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 1.4V @ 2mA，1.25A

电流 - 集电极截止（最大值） -

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -

功率 - 最大值 1W

频率 - 跃迁 -

工作温度 -20°C ~ 85°C（TA）

安装类型 通孔

封装/外壳 16-PowerDIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装 16-PowerDIP（20x7.10）

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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。



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