晶体管 MMBF170LT1G 半导体产品

晶体管 MMBF170LT1G 半导体产品属性

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晶体管 MMBF170LT1G 半导体产品描述

MMBF170LT1G介绍：
描述 MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
制造商标准提前期 40 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 500mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 60pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 225mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。

　公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯，并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的强大网络。

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