晶体管 FQT5P10 MOSFET - 单
晶体管 FQT5P10 MOSFET - 单属性
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晶体管 FQT5P10 MOSFET - 单描述
FQT5P10介绍:
描述 MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
制造商标准提前期 32 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 100V 1A(Tc) 2W(Tc) SOT-223-4
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.05 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223-4
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极(source)之间时,电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷,而这时所谓的“反型层”(inversion channel)就会形成。通道的极性与其漏极(drain)与源极相同,假设漏极和源极是n-type,那么通道也会是n-type。
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