晶体管 TJ20S04M3L MOSFET - 单

晶体管 TJ20S04M3L MOSFET - 单属性

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晶体管 TJ20S04M3L MOSFET - 单描述

TJ20S04M3L介绍：
描述 MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
制造商标准提前期 16 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 40V 20A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSVI
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 22.2 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 37nC @ 10V
Vgs（最大值） +10V，-20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1850pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 41W（Tc）
工作温度 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK+
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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沟道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n型，那么沟道也会是n型。沟道形成后，金氧半场效晶体管即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。

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