晶体管 DMP2022LSS FET-MOSFET

晶体管 DMP2022LSS FET-MOSFET属性

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晶体管 DMP2022LSS FET-MOSFET描述

DMP2022LSS介绍：
描述 MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
制造商标准提前期 20 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 56.9nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2444pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOP
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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