晶体管 FQD7N20 MOSFET - 单
晶体管 FQD7N20 MOSFET - 单属性
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晶体管 FQD7N20 MOSFET - 单描述
FQD7N20介绍:
描述 MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
制造商标准提前期 6 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 2.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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无论多么优良的电子管,都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因,晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍,称得起永久性器件的美名。
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