晶体管 H7N1002LS-E MOSFET

晶体管 H7N1002LS-E MOSFET属性

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晶体管 H7N1002LS-E MOSFET描述

H7N1002LS-E介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 155nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9700pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 100W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 37.5A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 4-LDPAK
封装/外壳 SC-83
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金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。

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