晶体管 UM6K34NTCN FET

晶体管 UM6K34NTCN FET属性

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晶体管 UM6K34NTCN FET描述

UM6K34NTCN介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 10 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 200mA 120mW Surface Mount UMT6
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平栅极，0.9V 驱动
漏源电压（Vdss） 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V
功率 - 最大值 120mW
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 UMT6
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。

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