晶体管 SH8K12TB1 MOSFET - 阵列

晶体管 SH8K12TB1 MOSFET - 阵列属性

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晶体管 SH8K12TB1 MOSFET - 阵列描述

SH8K12TB1介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 42 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 10V
功率 - 最大值 2W
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOP
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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

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