晶体管 IXTB62N50L MOSFET - 单

晶体管 IXTB62N50L MOSFET - 单属性

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晶体管 IXTB62N50L MOSFET - 单描述

IXTB62N50L介绍：
描述 MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 通孔 N 沟道 500V 62A（Tc） 800W（Tc） PLUS264™
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 550nC @ 20V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 800W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 31A，20V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PLUS264™
封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA
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无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。

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