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BCR 192W
PNP硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
= 22KΩ ，R
2
=47k)
TYPE
BCR 192W
订购代码标识
WPS
Q62702-C2282
引脚配置
1=B
2=E
3=C
包
SOT-323
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 124°C
结温
储存温度
符号
值
50
50
10
30
100
250
150
- 65 ... + 150
mA
mW
°C
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
热阻
交界处的环境
1)
R
thJA
R
thjs
≤
240
≤
105
K / W
结 - 焊接点
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米
2
Cu
半导体集团
1
Nov-27-1996
BCR 192W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
50
-
-
-
-
-
-
-
-
22
0.47
-
-
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
50
I
C
= 10 A,
I
B
= 0
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
-
100
nA
A
-
227
-
70
-
V
-
0.3
1.2
2.5
29
0.52
k
-
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
发射Cuto FF电流
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
0.5
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
V
我（上）
0.8
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
R
1
R
1
/R
2
15
0.42
AC特性
跃迁频率
f
T
-
200
3
-
兆赫
pF
-
-
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
C
cb
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％
半导体集团
2
Nov-27-1996
BCR 192W
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
F（我
C
),
h
FE
= 20
10
3
10
2
-
h
FE
10
2
I
C
mA
10
1
10
1
10
0
-1
10
10
0
10
1
mA
I
C
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
V
1.0
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
F（我
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
输入过电压
V
我（关闭）
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
2
10
1
mA
mA
I
C
10
1
I
C
10
0
10
-1
10
0
10
-2
10
-1
-1
10
10
0
10
1
V
V
我（上）
10
-3
0.0
0.5
1.0
1.5
V
2.5
V
我（关闭）
半导体集团
3
Nov-27-1996
BCR 192W
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
300
mW
P
合计
200
T
S
T
A
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F（T
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
F（T
p
)
10
3
10
3
K / W
-
R
thjs
10
2
P
totmax
/P
totDC
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
10
0
10
-1
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
10
0
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
半导体集团
4
Nov-27-1996
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QTLP610C
QR1001-40VUL
QEUM5710LT1016
Q68000-A6501
QEUM5350DQ1016
Q6006N5
QBH237-3
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    Q62702-C2282
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市鹏顺兴科技有限公司
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    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    Q62702-C2282
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    Q62702-C2282
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人：刘先生
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