*
S
. R
乐#E
L
Fi
U.
e
el
ct
ed
G
39
CO
716
E
Pa
a
ck
ge
s
Z
NI
ED
E2
TO-92
TO-202
*TO-220
3-lead
COMPAK
TO-263
D
2
PAK
TO-252
D- PAK
TO-251
V-白
*TO-3
Fastpak
MT2
MT1
G
双向可控硅
（ 0.8 A至35 A）
E2
RoHS指令
概述
从的Teccor电子这些门双向可控硅的广泛一部分
行双向半导体。该器件拥有当前
收视率从0.8 A到35 A和电压为200 V到1000 V.
双向可控硅可能是从门阻断传导引发
状态施加电压的任一极性和设计交流
切换和相位控制应用，如速度和温
perature调制控制，照明控制和静态开关
荷兰国际集团继电器。该触发信号被间通常施加
门和MT1 。
分离的包与内部结构提供具有
的情况下，或安装选项卡从semicon-电气隔离
导体芯片。此功能便于使用低成本的组装
方便的封装技术。磁带和卷轴能力
是可用的。看到这个目录的“包装选项”部分。
所有的Teccor三端双向可控硅具有玻璃钝化结，以确保长期
长期器件的可靠性和参数的稳定性。 TECCOR的玻璃 -
钝化路口提供对junc-坚固，可靠的屏障
化污染。
可用于覆盖该数据表的设备的变化
定制设计的应用程序。有关更多信息，请咨询厂家。
2004 Littelfuse公司
晶闸管产品目录
E2 - 1
特点
符合RoHS
电气隔离的封装
玻璃钝化结
电压能力 - 高达1000 V
浪涌能力 - 高达200 A
COMPAK套餐
表面贴装封装 - 0.8 A和1系列
新的小尺寸三含铅COMPAK包
包装在2500压纹载带
设备每卷
可以替代SOT- 223
http://www.littelfuse.com
+1 972-580-7777
双向可控硅
数据表
产品型号
I
T（ RMS ）
(4)
MT2
隔离
非隔离
MT2
V
DRM
(1)
I
GT
(3) (7) (15)
MT2
G
MT2
G
MT2
MT2
G
MT2
MT1
MT1
MT1
G
MT2
MT2
MT1
MT1
MT2
G
G
MT1
MT2
MT1
G
MT2
MT1
G
MT2
伏
TO-92
最大
TO-220
COMPAK
Q2X3
Q4X3
Q6X3
Q2X4
Q4X4
Q6X4
Q2N3
Q4N3
Q6N3
Q2N4
Q4N4
Q6N4
Q2004L3
Q4004L3
Q6004L3
Q2004L4
Q4004L4
Q6004L4
Q8004L4
QK004L4
Q2004F31
Q4004F31
Q6004F31
Q2004F41
Q4004F41
Q6004F41
Q2004D3
Q4004D3
Q6004D3
Q2004D4
Q4004D4
Q6004D4
Q8004D4
QK004D4
Q2006F41
Q4006F41
Q6006F51
Q2006R4
Q4006R4
Q6006R5
Q8006R5
QK006R5
Q2008F41
Q4008F41
Q6008F51
Q2008R4
Q4008R4
Q6008R5
Q8008R5
QK008R5
Q2004V3
Q4004V3
Q6004V3
Q2004V4
Q4004V4
Q6004V4
Q8004V4
QK004V4
Q2006N4
Q4006N4
Q6006N5
Q8006N5
QK006N5
Q2008N4
Q4008N4
Q6008N5
Q8008N5
QK008N5
TO-202
TO-220
TO-252
D- PAK
TO-251
V-白
TO-263
D
2
PAK
民
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
800
1000
200
400
600
800
1000
200
400
600
800
1000
10
10
10
25
25
25
10
10
10
25
25
25
10
10
10
25
25
25
25
25
25
25
50
50
50
25
25
50
50
50
QI
QII
10
10
10
25
25
25
10
10
10
25
25
25
10
10
10
25
25
25
25
25
25
25
50
50
50
25
25
50
50
50
毫安
QIII QIV
10
10
10
25
25
25
10
10
10
25
25
25
10
10
10
25
25
25
25
25
25
25
50
50
50
25
25
50
50
50
QIV
典型值
25
25
25
50
50
50
25
25
25
50
50
50
25
25
25
50
50
50
50
50
50
50
75
75
75
50
50
75
75
75
请参阅“封装尺寸”部分的变化。 （11），
Q2X8E3
Q4X8E3
Q6X8E3
Q2X8E4
Q4X8E4
Q6X8E4
最大
0.8 A
1A
Q201E3
Q401E3
Q601E3
Q201E4
Q401E4
Q601E4
4A
6A
Q2006L4
Q4006L4
Q6006L5
Q8006L5
QK006L5
8A
Q2008L4
Q4008L4
Q6008L5
Q8008L5
QK008L5
请参阅“一般注意事项”页E2 - 4和“电气规范说明”页面E2 - 5 。
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E2 - 2
2004 Littelfuse公司
晶闸管产品目录
数据表
双向可控硅
I
DRM
(1) (16)
V
TM
(1) (5)
V
GT
(2) (6)
(15) (18)
(19)
I
H
(1) (8)
(12)
I
GTM
(14)
P
GM
(14)
P
G（ AV ）
I
TSM
(9) (13)
dv / dt的（C ）
(1) (4) (13)
dv / dt的
(1)
t
gt
(10)
I
2
t
的di / dt
毫安
T
C
=
T
C
=
T
C
=
25 °C 100 °C 125 °C
最大
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
3
0.5
0.5
0.5
0.5
3
0.5
0.5
0.5
0.5
3
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
2
2
2
2
伏
T
C
=
25 °C
最大
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
伏
T
C
=
25 °C
最大
2
2
2
2.5
2.5
2.5
2
2
2
2.5
2.5
2.5
2
2
2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
毫安
最大
15
15
15
25
25
25
15
15
15
25
25
25
20
20
20
30
30
30
30
30
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
18
18
18
18
18
20
20
20
20
20
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
安培
瓦
瓦
安培
60/50赫兹
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
55/46
55/46
55/46
55/46
55/46
55/46
55/46
55/46
80/65
80/65
80/65
80/65
80/65
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
伏/微秒
典型值
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
2
2
2
2
2
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
伏/微秒
T
C
=
T
C
=
100 °C 125 °C
民
40
35
25
50
45
35
40
40
30
50
50
40
50
50
40
100
100
75
60
50
200
200
150
125
100
250
250
220
150
100
150
150
125
100
120
120
100
85
30
25
15
40
35
25
30
30
20
40
40
30
40
40
30
75
75
50
40
微秒
典型值
2.5
2.5
2.5
3
3
3
2.5
2.5
2.5
3
3
3
2.5
2.5
2.5
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
26.5
26.5
26.5
26.5
26.5
41
41
41
41
41
20
20
20
20
20
20
30
30
30
30
30
30
50
50
50
50
50
50
50
50
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
AMP
2
秒安/微秒
请参阅“一般注意事项”页E2 - 4和“电气规范说明”页面E2 - 5 。
2004 Littelfuse公司
晶闸管产品目录
E2 - 3
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+1 972-580-7777
双向可控硅
数据表
产品型号
I
T（ RMS ）
(4) (16)
MT1
隔离
MT2
MT2
非隔离
MT2
V
DRM
(1)
MT2
I
GT
(3) (7) (15)
I
DRM
(1) (16)
G
MT2
MT1
门
MT1
MT2
G
MT1
G
MT2
MT1
G
MT2
毫安
TO-263
D
2
PAK
Q2010N4
Q4010N4
Q6010N4
Q8010N4
QK010N4
Q2010N5
Q4010N5
Q6010N5
Q8010N5
QK010N5
Q2015N5
Q4015N5
Q6015N5
Q8015N5
QK015N5
Q2025N5
Q4025N5
Q6025N5
Q8025N5
QK025N5
伏
民
200
400
600
800
1000
200
400
600
800
1000
200
400
600
800
1000
200
400
600
800
1000
600
800
600
800
25
25
25
25
25
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
QI
QII
25
25
25
25
25
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
QIII
25
25
25
25
25
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
120
120
120
120
QIV
50
50
50
50
50
75
75
75
75
75
QIV
典型值
0.05
0.05
0.05
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
T
C
=
25 °C
毫安
T
C
=
T
C
=
100 °C 125 °C
最大
1
1
1
1
3
0.5
0.5
0.5
0.5
3
0.5
0.5
0.5
1
3
1
1
1
1
3
5
5
5
5
3
3
3
3
2
2
2
3
2
2
2
2
TO-3
Fastpak
最大
TO-220
Q2010L4
Q4010L4
Q6010L4
Q8010L4
TO-202
TO-220
Q2010R4
Q4010R4
Q6010R4
Q8010R4
QK010R4
请参阅“封装尺寸”部分的变化。 （11），
最大
10 A
QK010L4
Q2010L5
Q4010L5
Q6010L5
Q8010L5
QK010L5
Q2015L5
Q4015L5
Q6015L5
Q8015L5
QK015L5
Q2010F51
Q4010F51
Q6010F51
Q2010R5
Q4010R5
Q6010R5
Q8010R5
QK010R5
Q2015R5
Q4015R5
Q6015R5
Q8015R5
QK015R5
Q2025R5
Q4025R5
Q6025R5
15 A
25 A
Q6025P5
Q8025P5
Q8025R5
QK025R5
35 A
Q6035P5
Q8035P5
具体的测试条件
的di / dt
- 最大速率的变化的通态电流;我
GT
= 200 mA，带
≤0.1
崛起的时间
dv / dt的
- 关键断态电压上升率在额定V
DRM
门打开
dv / dt的（C ）
- 关键整流电压的上升率在额定V
DRM
我
T（ RMS ）
整流的di / dt = 0.54额定我
T（ RMS ）
/女士;门
未通电
I
2
t
- RMS浪涌（非重复）通态电流为8.3 ms周期
对于融合
I
DRM
- 峰值断态电流，门打开; V
DRM
=最大额定值
I
GT
- 在具体操作象限直流门极触发电流;
V
D
= 12 V DC
I
GTM
- 峰值门极触发电流
I
H
- 保持电流（ DC ） ;门敞开着。
I
T（ RMS ）
- RMS通态电流导通的360 °角
I
TSM
- 峰值单周期浪涌
P
G（ AV ）
- 门平均功耗
P
GM
- 栅极峰值功耗;
I
GT
≤
I
GTM
t
gt
- 门控导通时间;我
GT
= 200 mA，带0.1
崛起的时间
V
DRM
- 重复峰值阻断电压
V
GT
- 直流栅极触发电压; V
D
= 12 V直流;
L
= 60
V
TM
- 峰值通态电压有效值电流最大额定
一般注意事项
所有测量均在一个制成在60赫兹与电阻性负载
+25环境温度
°C
除非另有规定。
工作温度范围（T
J
）为-65
°C
+125
°C
为TO-92，
-25°C至+125°C的Fastpak和-40
°C
+125
°C
对于所有其它
设备。
存储温度范围（T
S
）为-65
°C
+150
°C
为TO-92，
-40
°C
+150
°C
为TO- 202 ，和-40
°C
+125
°C
对于所有其它
设备。
无铅焊锡温度最大为230
°C
10秒，
最大;
≥1/16"
（1.59 MM）的情况下。
外壳温度（T
C
）被测量为显示在维数
简称AE，下同外形图。看到这个“封装尺寸”部分
目录。
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+1 972-580-7777
E2 - 4
2004 Littelfuse公司
晶闸管产品目录
数据表
双向可控硅
V
TM
(1) (5)
V
GT
(2) (6) (15)
(18) (19)
I
H
(1) (8) (12)
I
GTM
(14)
P
GM
(14)
P
G（ AV ）
I
TSM
(9) (13)
dv / dt的（C ）
(1) (4) (13)
dv / dt的
(1)
t
gt
(10) (17)
I
2
t
的di / dt
伏
T
C
= 25 °C
最大
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.4
1.4
1.5
1.5
伏
T
C
= 25 °C
最大
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.75
2.75
2.75
2.75
毫安
最大
35
35
35
35
35
50
50
50
50
50
70
70
70
70
70
100
100
100
100
100
50
50
50
50
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
安培
瓦
瓦
安培
60/50赫兹
120/100
120/100
120/100
120/100
120/100
120/100
120/100
120/100
120/100
120/100
200/167
200/167
200/167
200/167
200/167
200/167
200/167
200/167
200/167
200/167
250/220
250/220
350/300
350/300
伏/微秒
典型值
2
2
2
2
2
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
5
5
5
5
伏/微秒
T
C
=
100 °C
150
150
100
75
50
350
350
300
250
150
400
400
350
300
200
400
400
350
300
200
550
450
550
450
475
400
475
400
275
275
225
200
275
275
225
200
225
225
200
175
T
C
=
125 °C
微秒
典型值
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
3
3
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
260
260
508
508
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
安培
2
美国证券交易委员会
安/微秒
民
电气规格说明
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
对任一极性MT2的参考MT1终端
对于栅极电压的任一极性（V
GT
）参照MT1
终奌站
见门特点和象限的定义。
参见图E2.1至图E2.7的额定电流在特定
工作温度。
参见图E2.8至图E2.10为我
T
与V
T
.
参见图E2.12为V
GT
与牛逼
C
.
参见图E2.11因为我
GT
与牛逼
C
.
参见图E2.14因为我
H
与牛逼
C
.
参见图E2.13的浪涌额定值与特定的持续时间。
(15) R
L
= 60
为0.8 A到10一个三端双向可控硅;
L
= 30
15 A到35一个三端双向可控硅
(16) T
C
= T
J
在关机状态下的测试条件
(17) I
GT
= 300 mA电流25 A和35 A器件
只有（ 18 ）象限I，II ， III
（ 19 ）最小的非触发V
GT
在125℃时为0.2 V的所有除50毫安
MAX QIV设备这是0.2 V ，在110℃ 。
GATE特性
的Teccor端双向可控硅开关可以导通的栅极和MT1端子之间
在以下方面：
同相的信号（与标准AC线），使用象限我
和III
单极性脉冲的应用（门始终为正或负面
略去） ，用象限II和III与负栅脉冲和
象限I和IV与正栅极脉冲
然而，由于对第四象限的较高的栅极的要求，它
建议只负脉冲应用。如可能
可持续的竞争脉冲要求，请参阅“敏感双向晶闸管”一节
此目录或与厂家联系。另请参阅
图AN1002.8 ， “扩增门”晶闸管电路。
（ 10 ）参见图E2.15在t
gt
与我
GT
.
（ 11 ）参见包装概述了铅的形式配置。订货时
特殊的引线成形，加上型号为后缀的零件编号。
（ 12 ）初通态电流= 200 mA dc直流电为0.8 A至10 A器件，
400毫安DC 15 A至35 A器件
（ 13 ）参见图E2.1至图E2.6最大允许的情况下，
温度在最大额定电流。
（14）的脉冲宽度
≤10
s;
I
GT
≤
I
GTM
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晶闸管产品目录
E2 - 5
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+1 972-580-7777
