【PNP硅开关晶体管BSS 80BSS 82q高直流电流增益q低集电极 - 发射极饱和电压q互补型：】,IC型号Q62702-S560,Q62702-S560 PDF资料,Q62702-S560经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PNP硅开关晶体管

BSS 80

BSS 82

q

高直流电流增益

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

互补型： 79 BSS ，BSS 81 （ NPN ）

TYPE

BSS 80 B

BSS 80℃

BSS 82 B

BSS 82℃

记号

CHS

CJS

CLS

CMS

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-S557

Q62702-S492

Q62702-S560

Q62702-S482

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 77 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

1)

2)

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

值

BSS 82

BSS 80

40

5

800

1

100

200

330

150

– 65 … + 150

60

60

单位

V

mA

A

mA

mW

C

R

日JA

R

日JS

≤

290

≤

220

K / W

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

BSS 80

BSS 82

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安

BSS 80

BSS 82

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10

A

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 50 V

V

CB

= 50 V,

T

A

= 150 C

发射基截止电流

V

EB

= 3 V

直流电流增益

I

C

= 100

A,

V

CE

= 10 V

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 10 V

1)

I

C

= 150毫安，

V

CE

= 10 V

1)

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 10 V

1)

BSS 80 B / 82 B

BSS 80℃ / 82℃

BSS 80 B / 82 B

BSS 80℃ / 82℃

BSS 80 B / 82 B

BSS 80℃ / 82℃

BSS 80 B / 82 B

BSS 80℃ / 82℃

BSS 80 B / 82 B

BSS 80℃ / 82℃

V

CESAT

–

–

V

BESAT

–

–

–

–

1.3

2.6

–

–

0.4

1.6

V

(BR)CE0

40

60

V

(BR)CB0

V

(BR)EB0

I

CB0

–

–

I

EB0

h

FE

40

75

40

100

40

100

40

100

40

50

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

120

300

–

–

V

–

–

–

–

10

10

10

nA

A

nA

–

60

5

–

–

–

–

–

–

–

–

V

值

典型值。

马克斯。

单位

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 150毫安，

I

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 150毫安，

I

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

1)

脉冲测试条件：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

2

BSS 80

BSS 82

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 20 V,

f

= 100兆赫

开路输出电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

V

CC

= 30 V,

I

C

= 150毫安，

I

B1

= 150毫安

延迟时间

上升时间

V

CC

= 6 V,

I

C

= 150毫安，

I

B1

=

I

B2

= 15毫安

贮存时间

下降时间

f

T

C

敖包

–

–

250

6

–

–

兆赫

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

t

d

t

r

t

英镑

t

f

–

–

–

–

–

–

–

–

10

40

80

30

ns

ns

ns

ns

测试电路

延迟和上升时间

存储和下降时间

半导体集团

3

BSS 80

BSS 82

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

集电极 - 基极电容

C

cb

=

f

(V

CB

)

f

= 1兆赫

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 20 V

半导体集团

4

BSS 80

BSS 82

饱和电压

I

C

=

f

(V

BE坐

, V

CE坐

)

h

FE

= 10

延迟时间

t

d

=

f

(I

C

)

上升时间

t

r

=

f

(I

C

)

贮存时间

t

英镑

=

f

(I

C

)

下降时间

t

f

=

f

(I

C

)

半导体集团

5

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供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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电话：0755-83209937

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

Q62702-S560

-

-

-

-

终端采购配单精选

聚芯优品（深圳）控股集团有限公司

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电话：0755-28458422

联系人：max

地址：深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B

Q62702-S560

-

-

-

-

终端采购配单精选

HECC GROUP CO，LIMITED

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电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890

联系人：Sante Zhang/Mollie

地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

Q62702-S560

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-

-

-

终端采购配单精选

深圳市鹏顺兴科技有限公司

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电话：0755-23063133/23042311

联系人：谭小姐

地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

Q62702-S560

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终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

Q62702-S560

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GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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