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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符Q型号页 > 首字符Q的型号第90页 > Q48DR2R533NRFA
特点
高效率: 87.5%@1.5V/15A , 3.3V / 15A
标准尺寸: 57.9mmx36.8mmx8.5mm
(2.28”×1.45”×0.33”)
工业标准引脚输出
2 : 1输入电压范围
固定频率操作
完全保护: OTP , OCP , OVP , UVLO
无需最小负载
1500 V隔离和基本绝缘
两个独立的动力传动系和独立
修剪每个输出
ISO 9001 , TL 9000 , ISO 14001 , QS 9000 ,
OHSAS 18001认证的制造工厂
UL / CUL 60950 (美国&加拿大)认可,
和TUV ( EN60950 )认证
CE标志符合73/23 / EEC和93 /68 / EEC
指令
德尔福系列Q48DR , 87W -100W ,四分之一砖
双路输出, DC / DC电源模块:
在48V , 1.5V和3.3V , 15A出每个通道
德尔福系列Q48DR 1/4砖双通道, 48V输入,双输出,
隔离式DC / DC转换器是由世界领先的最新产品
动力系统技术和制造 - 台达电子,
公司该产品系列可提供高达权力或15A 100瓦
在一个工业标准的输出电流(同时每通道)
足迹。彼此的两个输出通道可以独立使用
与选项来修整每个信道或者在相同的方向或在
逆转方向。有创意的设计技术和优化
电路中,这些转换器具有出色的电气性能和热
性能,以及非常高的可靠性下高度紧张
操作条件。所有的型号都从异常充分的保障
输入/输出电压,电流和温度的条件。德尔福
系列转换器满足基本绝缘的所有安全要求。
选项
可选的第二个微调引脚
两路输出独立的装饰。
正面的开/关逻辑
可用短脚长
应用
电信/数据通信
无线网络
光网络设备
服务器和数据存储
工业/测试设备
数据表
DS_Q48DR1R533_03152007
1
技术特定网络阳离子
(T = 25 ℃,空气流量= 300 LFM ,V
A
in
= 48V直流,标称Vout的,除非另有说明)。
参数
绝对最大额定值
输入电压
连续
瞬时( 100毫秒)
工作温度
储存温度
输入/输出隔离电压
输入特性
工作输入电压
输入欠压锁定
开启电压阈值
关断电压阈值
锁定滞后电压
最大输入电流
空载输入电流
关转换器输入电流
浪涌电流(I
2
t)
输入反射纹波电流
输入电压纹波抑制
输出特性
输出电压设定点
输出电压调节
过载
过线
交规
过温
总输出电压范围
输出电压纹波和噪声
峰 - 峰值
RMS
工作输出电流范围
输出直流电流限制盗梦空间
动态特性
输出电压瞬态电流
积极的一步改变输出电流
负阶跃变化的输出电流
十字动态
稳定时间(在1 %的VOUT标称)
接通瞬变
启动时间,从开/关控制
启动时间,从输入
最大输出电容
效率
100 %负载
60 %负载
隔离特性
输入到输出
绝缘电阻
隔离电容
特征特性
开关频率
ON / OFF控制(逻辑低模块上)
逻辑低
逻辑高
开/关电流
漏电流
输出电压调整范围
输出过电压保护
一般特定网络阳离子
MTBF
重量
过温关断
注意事项和条件
Q48DR1R533NRFA
分钟。
典型值。
马克斯。
80
100
120
125
48
34
32
2
100
5
0.015
10
50
75
35
33
3
2.7
150
10
单位
VDC
VDC
°C
°C
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
A
mA
mA
A
2
s
mA
dB
VDC
mV
V
mV
V
V
mV
mV
A
<100ms
请参考图27 ,用于测量点
-40
-55
1500
36
33
31
1
100%负荷, 36VIN
P-P直通12μH电感, 5Hz至20MHz的
120Hz
VIN = 48V ,木卫一= Io.max , TC = 25 ℃
IO1 = 10 ,最小为木卫一,最大, IO2 = 0A
IO2 = 10 ,最小为木卫一,最大,为Io1 = 0A
VIN = 36V至75V ,为Io1 = IO2 =满载
最坏情况
Tc=-40
85
过采样负载,线路和温度
5Hz至20MHz的带宽
IO1 , IO2满载, 1μF陶瓷, 10μF钽电容
IO1 , IO2满载, 1μF陶瓷, 10μF钽电容
VOUT 1
VOUT 2
VOUT 1
VOUT 2
VOUT 1
VOUT 2
VOUT 1
VOUT 2
VOUT 1
VOUT 2
1.455
3.201
VOUT 1
VOUT 2
VOUT 1
VOUT 2
VOUT 1
VOUT 2
1.476
3.247
1.500
3.300
±5
±3
±5
±15
1.524
3.353
±10
±10
±10
±50
1.545
3.399
80
80
30
30
15
15
150%
150%
40
40
10
10
0
0
100%
100%
100
100
100
100
48V , 10μF谭& 1μF的陶瓷负载上限, 0.1A / μs的
VOUT 1
Iout1from 50 %木卫一,最大为75 %木卫一,最大
VOUT 2
VOUT 1
IOUT2 75 %木卫一,最大为50 %,木卫一,最大
VOUT 2
mV
mV
20
mV
US
MS
mS
F
%
%
VDC
M
pF
千赫
0.8
18
1
50
+10
130
V
V
mA
uA
%
%
Mhours
°C
每个通道独立
150
10
10
满负荷; Vout的5%的过冲启动
IOUT1 , IOUT2满载,输入电压48VDC
IOUT1 , IOUT2满负荷的60% , 48VDC Vin的
1500
10
3000
350
冯/下车离子/ OFF = 1.0毫安
冯/于锂离子/ OFF = 0.0 μA关闭
离子/下车冯/ OFF = 0.0V
逻辑高,冯/ OFF = 15V
最大额定功率
在整个温度范围内; %额定Vout的
IO = 80 %木卫一,最大的; TA = 25℃ 300LFM
请参考图27 ,用于测量点
0
VOUT 1
VOUT 2
87.5
88
15
15
10000
10000
-10
115
122
2.5
26.5
128
2
DS_Q48DR1R533_03152007
电气特性曲线
图1:
效率与负载电流的Iout1最低,
在25名义,和最大输入电压
°
C,为IOUT2 = 7.5A 。
图2:
效率与负载电流IOUT2最低,
在25名义,和最大输入电压
°
C,为的Iout1 = 7.5A
图3:
效率与负载电流的Iout1和IOUT2为
在25最小,名义和最大输入电压
°
C,对于
Iout1=Iout2
图4:
功耗与负载电流最小,
标称和最大输入电压,在25℃ 。为的Iout1 = IOUT2
4
DS_Q48DR1R533_03152007
电气特性曲线
Vout2
Vout2
Vout1
Vout1
图5:
导通瞬间在零负载电流( 2MS / DIV ) 。
VIN = 48V 。负逻辑开启。顶部曲线: Vout的; 1V / DIV ;
底部跟踪: ON / OFF输入: 5V / DIV
图6:
导通瞬间全额定负载电流(阻
负载) ( 2 ms /格) 。 VIN = 48V 。负逻辑开启。顶部曲线:
VOUT ; 1V / DIV ;底部跟踪: ON / OFF输入: 5V / DIV
Vout2
Vout2
Vout1
Vout1
图7:
导通瞬间在零负载电流( 2MS / DIV ) 。
VIN = 48V 。正逻辑开启。顶部曲线: Vout的; 1V / DIV ;
底部跟踪: ON / OFF输入: 5V / DIV
图8:
导通瞬间满负荷电流( 2MS / DIV ) 。
VIN = 48V 。正逻辑开启。顶部曲线: Vout的; 1V / DIV ;
底部跟踪: ON / OFF输入: 5V / DIV
5
DS_Q48DR1R533_03152007
电气特性曲线
Ch1
Ch2
Ch3
Ch4
图9:
在室温典型满载输入特性
温度
图10:
输出电压响应的步进变化的负载
目前IOUT2 ( 75 % -50 %木卫一,最大为-75 % ;的di / dt = 0.1A / μs)内的
IOUT1 = 7.5A 。负载上限: 10μF的电容,钽电容和1μF陶瓷
电容。 CH1 = Vout2的(为100mV / DIV ) ,CH2 = IOUT2 ( 7.5A / DIV )
Ch3=Vout1
(100mV/div),
Ch4=Iout1
(7.5A/div)
范围
测量应使用BNC电缆(长度短作
大于20英寸)。 51毫米之间的加载位置到76毫米(2英寸
英寸到3英寸)的模块。
Ch1
Ch1
Ch2
Ch2
Ch3
Ch3
Ch4
Ch4
图11:
输出电压响应的步进变化的负载
当前的Iout1 ( 75 % -50 %木卫一,最大为-75 % ;的di / dt = 0.1A / μs)内的
IOUT2 = 7.5A 。负载上限: 10μF的电容,钽电容和1μF
陶瓷电容器。 CH1 = Vout2的(为100mV / DIV ) , CH 2 = IOUT2
( 7.5A / DIV ) ,CH = VOUT1 (为100mV / DIV ) ,CH4 =的Iout1 ( 7.5A / DIV )
示波器测量应使用BNC电缆进行
(长度短于20英寸)。位置之间的负载
51毫米到从模块76毫米(2英寸到3英寸) 。
图12:
输出电压响应的步进变化的负载
目前IOUT2和的Iout1 ( 75 % -50 %木卫一,最大为-75 % ;的di / dt =
0.1A / μs)内。负载上限: 10μF的电容,钽电容和1μF陶瓷
电容。 CH1 = Vout2的(为100mV / DIV ) ,CH2 = IOUT2 ( 7.5A / DIV )
Ch3=Vout1
(100mV/div),
Ch4=Iout1
(7.5A/div)
范围
测量应使用BNC电缆(长度短作
大于20英寸)。 51毫米之间的加载位置到76毫米(2英寸
英寸到3英寸)的模块。
6
DS_Q48DR1R533_03152007
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