FQP6N80
典型特征
（续）
1.2
3.0
2.5
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 2.9 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
A
2. I
D
= 250
μ
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
6
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
5
10
1
I
D
，漏电流[ A]
DC
10
0
I
D
，漏电流[ A]
3
10μ
s
100μ
s
1毫秒
10毫秒
4
3
2
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
1
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
( t) = 0 .7 9
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
( t)
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
的I N G - 乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
JC
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年9月
