FDY3000NZ DualN-
通道2 。 Specii D电源恩奇MOSFET
5V
fe
Tr
2007年1月
2007年1月
FDY3000NZ
DualN-
通道2 。 Specii电源ê
5V
美联储
TR的N沟道MOSFET
根儿Descrpton
al
i i
氏双N-
s
沟道MOSFET已经desgned
i
USNG辉喜Semionducor “进阶版电源
i
RC升
d
c
吨s
ANC
Trenc PROC S T选择而ZT
DS （
@ V
GS
= 2. .
h
ES
即他
mi
5v
上）
tm
ES壮举
ur
600毫安， 20 V R
DS （
= 700 m
上）
R
DS （
= 850 m
上）
ESD PROT吨二（ E 3 ）
ECI
对不颂歌
RoHS指令中文全集
i
蚂蚁
@ V
GS
= 4. V
5
@ V
GS
= 2. V
5
我APPL
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CAT
锂离子Batery小精灵
-
t
k
6
5
4
1
2
3
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m
i
SYM BOL
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
T
A
= 25℃ UNL SOT
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s
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o
S
1
G
1
D
2
1
6
D
1
2
3
5
4
G
2
S
2
等齐名
上午ER
德雷酒店源程序卷
n-
e
t
AGE
水道源程序卷
e-
e
t
AGE
德雷酒店电流 - 续
n
i
nuous
- Puled
s
电源Dispat （伊迪街五）
的I I ST
on
at
（五1A ）
不
Ratngs
i
20
12
600
1000
625
446
–55 t +150
o
清华紫光
t
V
V
mA
mW
C
（五1A ）
不
（五1B ）
不
OPERAT和圣
i
ng
ORAGE Junci温度
t
on
ERAT
URE
范围
疗法alChar erstcs
m
第一幕我
R
R
JA
JA
不
热ssanc Junci吨香必新台币
（五1A ）
RE IT E，
牛逼O-
导通
e
200
280
C/
W
热ssanc Junci吨香必新台币
（五1B ）
RE IT E，
牛逼O-
导通
e
不
套餐月纳克和或I I或航标
ki
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开发CE三月NG
i
ki
C
CE开发
i
FDY3000NZ
ReelSie
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’
带无线
dt
8 mm
Quantt
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3000 UNI
t
s
2007年辉喜Semionduc或CORPORAT
RC升
d
c
t
i
on
FDY3000NZ版本
B
www.ai喜EMI OM
F RC升
DS 。
c
FDY3000NZ双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET
电气特性
符号
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
漏源击穿
电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250 A
民
20
TYP MAX
单位
V
开关特性
I
D
= 250 A，参考25℃
V
DS
= 16 V,
V
GS
= 0 V
V
GS
= 12 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250 A
I
D
= 250 A，参考25℃
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 600毫安
V
GS
= 2.5 V,
I
D
= 500毫安
V
GS
= 1.8 V,
I
D
= 150毫安
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 600毫安，T
J
= 125 C
V
DS
= 5 V,
I
D
= 600毫安
0.6
1.0
–3
0.25
0.37
0.73
0.35
1.8
14
1
10
1
1.3
毫伏/ C
A
A
A
V
毫伏/ C
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
(
注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
0.70
0.85
1.25
1.00
S
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
(
注2 ）
V
DS
= 10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
60
20
10
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
6
8
8
2.4
12
16
16
4.8
1.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 600毫安，
0.8
0.16
0.26
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= 150毫安
（注2 ）
0.7
8
1
1.2
V
nS
nC
I
F
= 600毫安，
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
注意事项：
油膏至外壳和外壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
1.
R
JA
是j的总和
漏极引脚。
JC
由设计而
CA
是由用户确定的“电路板设计
s
a)
200°
C / W时，
2
安装在一个1英寸垫
2盎司纯铜
b) 280°
安装在当C / W
2盎司纯铜最小焊盘
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300秒，
占空比< 2.0 ％
3.二极管连接在所述栅极之间
和源保护作为唯一供应
反对票ESD 。没有过压门
评级暗示的保证。
FDY3000NZ版本
B
www.fairchildsemi.com
FDY3000NZ双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET
典型特征
1
R
DS （ ON）
，归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V
3.5V
I
D
，漏电流（ A）
0.8
2.6
3.0V
2.5V
2.0V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V
GS
= 2.0V
0.6
0.4
2.5V
3.0V
3.5V
4.5V
0.2
0
0
0.25
0.5
0.75
1
V
DS
，漏源电压（V ）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
D
,
漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
1
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
，归一化
漏源导通电阻
I
D
= 600毫安
V
GS
= 4.5V
1.4
I
D
= 300毫安
0.9
0.8
0.7
0.6
T
A
= 125
o
C
0.5
0.4
0.3
0.2
1
2
3
4
5
V
GS
，门源电压（ V）
T
A
= 25
o
C
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（
o
C)
图3.导通电阻变化与
温度。
1
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
0.8
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
1
V
GS
= 0V
0.1
T
A
= 125
o
C
0.01
25
o
C
-55
o
C
0.001
0.6
0.4
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
0.2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
，门源电压（ V）
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管FORW ARD电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDY3000NZ版本
B
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FDY3000NZ双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET
典型特征
5
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 600毫安
4
电容（pF）
V
DS
= 5V
10V
3
15V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
C
RSS
0
4
8
12
16
20
C
OSS
C
国际空间站
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
10
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
30
25
20
15
10
5
图8电容特性。
.
I
D
，漏电流（ A）
单脉冲
R
JA
= 280 ° C / W
T
A
= 25°C
1
R
DS （ ON）
极限
10ms
100ms
10s
1ms
1s
0.1
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
JA
= 280
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.1
1
DC
10
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源电压（V ）
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
JA
（吨） = R （t）的R *
JA
R
JA
= 280 ° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.1
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDY3000NZ版本
B
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FDY3000NZ双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET
外形尺寸和焊盘布局
1.70
1.50
0.30
0.15
6
4
0.50
0.50
1.20 BSC
1.70
1.55
1.25
1.80
1
(0.20)
3
0.30
0.50
1.00
0.60
0.56
0.18
0.10
0.55
土地格局的建议
SEE细节
0.35 BSC
0.20 BSC
细节A
0.10
0.00
SCALE 2 ： 1
注：除非另有规定编
a）本组件符合EIAJ
SC89包装标准。
B）所有尺寸以毫米为单位。
C）尺寸是唯一的毛刺，
模具闪光灯，以及系杆挤出。
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