订购数量： EN5850
N沟道硅MOS场效应管
FW214
超高速开关应用
特点
·低导通电阻。
· 2.5V驱动器。
包装尺寸
单位：mm
2129
[FW214]
8
5
0.3
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain2
7 ： Drain1
8 ： Drain1
三洋： SOP8
4.4
5.0
0.595
1.27
0.43
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
安装在陶瓷板上
安装在陶瓷板上
(1200mm
2
×0.8mm)
(1200mm
2
×0.8mm)
1unit
条件
0.1
1.5
1.8max
1
4
0.2
评级
20
±10
5
48
1.7
2.0
150
-55到+150
6.0
单位
V
V
A
A
W
W
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
D-S间的击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅 - 源泄漏电流
截止目前
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 20V ， VGS = 0
VGS = ± 8V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 5A
ID = 5A ， VGS = 4V
ID = 2A ， VGS = 2.5V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 5A
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 5A
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 5A
IS = 5A ， VGS = 0
0.4
8
13
38
50
500
280
150
20
250
70
130
22
3
3
1.0
1.2
50
70
条件
评级
民
20
100
±10
1.3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
52698TS （ KOTO ） TA- 0974 No.5850-1 / 3
FW214
开关时间测试电路
4V
0V
VIN
VIN
PW=10s
D.C.≤1%
D
VDD=10V
ID=5A
RL=2
VOUT
G
P.G
FW214
50
S
6
I
D
- V
DS
6.0
V
5.0
V
4.0V
2.5V
3.5
V
3.0
V
2.0
V
10
9
8
A
I
D
- V
GS
V
DS
=10V
5
A
8.0V
漏电流，我
D
-
漏电流，我
D
-
4
7
6
5
3
3
1
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
TA
2.0
25
V
GS
=1.5V
C
–25
2
C
4
75 C
2.5
漏极至源极电压，V
DS
- V
100
7
V
DS
=10V
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7 0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2
栅极 - 源极电压，V
DS
- V
100
|
y
FS |
–
I
D
静态漏 - 源
通态电阻，R
DS （
on
)
– m
R
DS （ ON）
- V
GS
Tc=25C
Forwaard转移Addmittance ， | Y
fs
| - S
90
25C
Ta
2
=-
5C
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
75
C
I
D
=2A
2
I
D
=5A
3
80
4
5
6
7
8
9
10
漏电流，我
D
- A
100
栅极 - 源极电压，V
GS
- V
10
7
V
GS
=0
5
R
DS （ ON）
- 锝
I
F
- V
SD
静态漏 - 源
通态电阻，R
DS （
on
)
– m
90
70
60
50
40
30
20
10
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电流I
F
– A
80
3
2
1.0
7
5
3
2
I
D
=
GS
2A ，V
V
=2.5
TA = 7
5C
–25C
0.6
I
D
=5
S
A，V
G
=4V
0.1
7
5
3
2
0.01
0
0.2
0.4
–25C
0.8
1.0
1.2
外壳温度，TC - C
二极管的正向电压，V
SD
– V
No.5850-2/3
FW214
10000
7
5
3
2
西塞，科斯，的Crss - V
DS
f=1MHz
10
V
GS
- 的Qg
V
DS
=10V
栅极 - 源极电压，V
GS
– V
20
9
I
D
=5A
8
7
6
5
4
3
2
1
西塞，科斯，的Crss - pF的
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
西塞
科斯
CRSS
18
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
漏极至源极电压，V
DS
– V
1000
7
V
DD
=10V
5
V
GS
=4V
总栅极电荷QG - 数控
100
7
I
DP
= 4 8 A
5
3
2
SW时间 - 我
D
A S
10s
100
s
切换时间， SW时间 - NS
漏电流，我
D
- A
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
tr
tf
吨D（
OFF ）
吨D（上）
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
,,,,,,,,
,,,,,,,,
,,,,,,,,
,,,,,,,,
I
D
=5A
操作在此
区域由限定
R
DS
（上） 。
1m
10
100
m
s
DC
op
ERA
TIO
n
TA = 25℃
1pulse
0.1
1unit
7
安装在陶瓷板上（ 1200毫米
2
×
0.8mm)
5
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
3
5
7 10
2
漏电流，我
D
– A
2.0
排水-to -Source电压，V
DS
- V
2.5
P
D
(FET2)
- P
D
(FET1)
ou
P
D
-
Ta
允许功耗，P
D
（FET 2 ） - 含
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
允许功耗，P
D –
W
M
NTE
do
2.0
1.7
nc
ERA
mi
cb
oa
rd
1.5
(1
20
0m
To
1.0
TAL
m
×
2
0.8
Di
ss
mm
1u
ip
)
NIT
ATI
on
0.5
安装在陶瓷板上（ 1200毫米
2
×
0.8mm)
20
40
60
80
100
120
140
160
允许功耗，P
D
（ FET 1 ） - 含
环境温度TA - C
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PS No.5850-3 / 3
