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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第1页 > FMMT417
SOT23 NPN硅平面
雪崩三极管
第4期 - 1995年10月
7
特点
*专为雪崩模式操作
* 60A峰值雪崩电流（脉冲宽度= 20ns的）
应用
*激光LED驱动器
*快速边生成
*高速脉冲发生器
PARTMARKING详细信息 -
FMMT415 ？ 415
FMMT417 ？ 417
FMMT415
FMMT417
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（脉冲宽度= 20ns的）
功耗
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基
击穿
电压
符号
FMMT415 V
（ BR ） CES
FMMT417
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
:T
英镑
分钟。
260
320
100
6
0.1
10
0.1
0.5
0.9
15
25
25
40
8
兆赫
pF
典型值。
FMMT415
260
100
6
500
60
330
-55到+150
MAX 。 UNIT
V
V
V
V
A
A
A
SOT23
FMMT417
320
100
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
条件。
I
C
=1mA
T
AMB
= -55到+ 150°C
I
C
=1mA
I
C
=100
A
I
E
=10
A
V
CB
=180V
V
CB
=180V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=4V
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA*
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA*
V
C
= 200V ，C
CE
=620pF
V
C
= 250V ，C
CE
=620pF
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V ，我
E
=0
f=100MHz
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射
饱和电压
目前在二次击穿
（脉冲的）
静态正向电流传输
比
跃迁频率
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极击穿电压V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
SB
h
FE
f
T
C
cb
V
V
A
A
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
3 - 104
FMMT415
FMMT417
典型特征
180
160
140

1. >4x10运营无故障
2. 10
%
操作要失败
3. 10
!
操作要失败
40
30
- (A)
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
1.
2.
3.
- (A)
120
V
+
= 250V
20
V
+
= 200V
10
I
I
0
-60 -40 -20 0
80 100 120 140 160 180
20 40 60 80 100 120 140 160 180
最大雪崩电流
V脉冲宽度
100
80
60
175°C
V
+-
=10V
220
200
脉冲宽度（ NS ）
温度（℃）
I
USB
V温度
对于指定的条件
- (V)
180
160
基地的上升时间
驱动电流= 5毫安/ NS
h
40
20
0
25°C
-55°C
V
140
120
I
*
=50mA
I
*
=100mA
I
*
=200mA
1n
10n
100n
100
A
1mA
10mA
100mA
1A
100
100p
集电极电流
集电极 - 发射极电容（F ）
h
FE
V I
C
180
175
170
I
*
=60mA
最低启动电压
作为电容的函数
160
150
- (V)
165
160
155
150
145
1
C=620pF
- (V)
I
*
=100mA
I
*
=200mA
140
C = 620pF
120
V
V
10
100
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
基极驱动的上升时间（毫安/ NS ）
温度（℃）
最低启动电压
随着驱动电流的函数
最低启动电压
作为温度的函数
3 - 105
SOT23 NPN硅平面
雪崩三极管
第4期 - 1995年10月
7
特点
*专为雪崩模式操作
* 60A峰值雪崩电流（脉冲宽度= 20ns的）
应用
*激光LED驱动器
*快速边生成
*高速脉冲发生器
PARTMARKING详细信息 -
FMMT415 ？ 415
FMMT417 ？ 417
FMMT415
FMMT417
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（脉冲宽度= 20ns的）
功耗
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基
击穿
电压
符号
FMMT415 V
（ BR ） CES
FMMT417
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
:T
英镑
分钟。
260
320
100
6
0.1
10
0.1
0.5
0.9
15
25
25
40
8
兆赫
pF
典型值。
FMMT415
260
100
6
500
60
330
-55到+150
MAX 。 UNIT
V
V
V
V
A
A
A
SOT23
FMMT417
320
100
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
条件。
I
C
=1mA
T
AMB
= -55到+ 150°C
I
C
=1mA
I
C
=100
A
I
E
=10
A
V
CB
=180V
V
CB
=180V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=4V
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA*
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA*
V
C
= 200V ，C
CE
=620pF
V
C
= 250V ，C
CE
=620pF
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V ，我
E
=0
f=100MHz
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射
饱和电压
目前在二次击穿
（脉冲的）
静态正向电流传输
比
跃迁频率
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极击穿电压V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
SB
h
FE
f
T
C
cb
V
V
A
A
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
3 - 104
FMMT415
FMMT417
典型特征
180
160
140

1. >4x10运营无故障
2. 10
%
操作要失败
3. 10
!
操作要失败
40
30
- (A)
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
1.
2.
3.
- (A)
120
V
+
= 250V
20
V
+
= 200V
10
I
I
0
-60 -40 -20 0
80 100 120 140 160 180
20 40 60 80 100 120 140 160 180
最大雪崩电流
V脉冲宽度
100
80
60
175°C
V
+-
=10V
220
200
脉冲宽度（ NS ）
温度（℃）
I
USB
V温度
对于指定的条件
- (V)
180
160
基地的上升时间
驱动电流= 5毫安/ NS
h
40
20
0
25°C
-55°C
V
140
120
I
*
=50mA
I
*
=100mA
I
*
=200mA
1n
10n
100n
100
A
1mA
10mA
100mA
1A
100
100p
集电极电流
集电极 - 发射极电容（F ）
h
FE
V I
C
180
175
170
I
*
=60mA
最低启动电压
作为电容的函数
160
150
- (V)
165
160
155
150
145
1
C=620pF
- (V)
I
*
=100mA
I
*
=200mA
140
C = 620pF
120
V
V
10
100
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
基极驱动的上升时间（毫安/ NS ）
温度（℃）
最低启动电压
随着驱动电流的函数
最低启动电压
作为温度的函数
3 - 105
SMD型
雪崩三极管
FMMT417
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高速脉冲发生器
SOT23 NPN硅平面
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
320
100
6
60
500
330
-55到+150
单位
V
V
V
A
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
目前在二次击穿
静态正向电流传输比
跃迁频率
集电极 - 基极电容
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=1mA
V
（ BR ） CEO
I
C
=100ìA
V
（ BR ） EBO
I
E
=10ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=80V
V
CB
= 80V ，环境温度Tamb = 100
V
EB
=4V
Testconditons
民
320
100
6
0.1
10
0.1
0.5
0.9
15
25
25
40
8
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
ìA
V
V
A
A
V
CE（
SAT ）I
C
=10mA,I
B
=1mA
V
BE （
SAT ）I
C
=10mA,I
B
=1mA
I
SB
h
FE
f
T
C
cb
V
C
= 200V ，C
CE
=620pF
V
C
= 250V ，C
CE
=620pF
I
C
=10mA,V
CE
=10V *
I
C
=10mA,V
CE
=20V,f=20MHz
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
记号
记号
417
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
FMMT417
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高速脉冲发生器
SOT23 NPN硅平面
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
320
100
6
60
500
330
-55到+150
单位
V
V
V
A
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
目前在二次击穿
静态正向电流传输比
跃迁频率
集电极 - 基极电容
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=1mA
V
（ BR ） CEO
I
C
=100ìA
V
（ BR ） EBO
I
E
=10ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=80V
V
CB
= 80V ，环境温度Tamb = 100
V
EB
=4V
Testconditons
民
320
100
6
0.1
10
0.1
0.5
0.9
15
25
25
40
8
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
ìA
V
V
A
A
V
CE（
SAT ）I
C
=10mA,I
B
=1mA
V
BE （
SAT ）I
C
=10mA,I
B
=1mA
I
SB
h
FE
f
T
C
cb
V
C
= 200V ，C
CE
=620pF
V
C
= 250V ，C
CE
=620pF
I
C
=10mA,V
CE
=10V *
I
C
=10mA,V
CE
=20V,f=20MHz
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
记号
记号
417
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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FM27C040V90
FP6487-9
FP9137-11
FP9125-2
FSK-S10-15U
FS2VSJ3
FDW2515N
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市鹏顺兴科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    FMMT417
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    FMMT417
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    FMMT417
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
中科航芯（深圳）科技有限公司
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电话：18927479189
联系人：李
地址：福田区振兴西路109号华康大厦2栋6楼
FMMT417
MSV/萌盛
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SOT-23
热卖 全新原装正品
北京佳创聚鑫科技有限公司
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电话：010-17812716681
联系人：杜经理
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FMMT417
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23600
SOT-23
全新原装现货，大批量供应，特价热卖！
深圳市恒达亿科技有限公司
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
FMMT417
ZETEX
23+
4500
SOP8
全新原装现货特价销售！
北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
FMMT417
Diodes
2014+
850
N/A
全新原装正品/质量有保证
北京青山盛世电子技术有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：010-82610856
联系人：李小姐
地址：北京市海淀区中关村大街32号新中发电子市场B1815
FMMT417
ZETEX
450
SOT23
全新原装北京现货
北京全友伟业科技有限公司（销售一部）
QQ： 点击这里给我发消息
电话：010-86227918、86227478、86227918、86227478
联系人：销售部（可以开17%增票，北京客户，免费送货)
地址：★★★★★北京市海淀区上地十街辉煌国际大厦4号楼B座16室
FMMT417
zetex
22+
5000
BGA
市场最低！原装有货！价格好！
桂阳亿创电子有限公司
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电话：19974215967
联系人：邓
地址：龙潭街道城领国际小区
FMMT417
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深圳市楷瑞达科技电子有限公司
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